根據《韓國經濟・產業》報導，1983年2月，三星創辦人李秉喆在東京宣布進軍半導體產業，當時這項「東京宣言」被視為瘋狂賭注。日本企業如NEC、東芝等，當時在記憶體市場佔據主導地位，幾乎無人看好韓國企業能與之競爭。然而，40多年後，日本企業已逐漸退出市場，而三星與SK海力士卻成為全球半導體產業的領頭羊，與英偉達、台積電等企業競爭。

三星在東京宣言後僅10個月便成功開發出64Kb DRAM，成為全球第三家掌握此技術的企業。同年，現代電子產業（現SK海力士）也加入半導體市場。三星早期的經營策略是「高風險、高回報」，在穩定獲利的日本企業逐步擴張技術的同時，三星卻選擇在虧損中持續投資設備與人力。

1992年，三星成功開發出全球首顆64Mb DRAM，由李秉喆之子李健熙領導的研發團隊，透過「堆疊工藝」（Stack）取代當時主流的「溝槽工藝」（Trench），打開技術差距的新紀元。此舉震撼了當時普遍認為韓國只是技術落後國的國際市場。

在2000年代，記憶體產業經歷了三次「雞蛋遊戲」（Chicken Game），即供應過剩導致的價格戰。日本企業如NEC與日立合資的Elpida Memory於2012年破產，歐洲企業Qimonda也退出市場。三星與SK海力士則憑藉規模經濟與持續投資，成功挺過危機。

SK海力士的逆轉更為戲劇性。2001年現代集團分拆後，SK海力士一度陷入財務危機，直到2012年被SK集團收購，並在首爾與清州擴大投資。2021年，SK海力士率先開發出第四代HBM3，並迅速切入英偉達供應鏈，成功超越三星，奪得DRAM市佔率冠軍。

目前，三星與SK海力士正與台積電、英偉達等企業競爭全球半導體龍頭地位。AI浪潮更進一步改變市場結構，促使大科技公司與半導體企業簽訂長期合約，推動HBM市場進入客製化時代。

📰 本文資料來源 • 韓國經濟・產業